泛林
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为 1000 层 NAND 闪存制造铺平道路，泛林推出新一代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0
本站 8 月 1 日消息，泛林集团 lam research 当地时间昨日宣布推出面向 3d nand 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 lam cyro 3.0。泛林集团全球产品部高级副总裁 sesha varadarajan 表示：la
本站 8 月 1 日消息，泛林集团 lam research 当地时间昨日宣布推出面向 3d nand 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 lam cyro 3.0。泛林集团全球产品部高级副总裁 sesha varadarajan 表示：la
