铁电

叮当号6月9日消息，据媒体报道，中国科学家成功开发出一种无疲劳铁电材料，并在国际顶级学术期刊《Science》上发表研究成果。 传统存储芯片因铁电材料存在读写次数限制，稳定性随使用时间推移而降低，这一问题长期制约着存储芯片的进一步研发和应用。 研究团队基于二维滑移铁电机制，开发出一种新型的二维层状滑移铁电材料（3R-MoS2），该材料制备的存储芯片有望突破读…