eMRAM
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三星电子:正按计划推进 eMRAM 内存制程升级,8nm 版本基本完成开发
本站 5 月 31 日消息,三星电子代表昨日在韩国“ai-pim 研讨会”上表示,正按计划逐步推进 emram 内存的制程升级,目前 8nm emram 的技术开发已基本完成。
作为一种新型内存,MRAM 基于磁性原理,具有非易失性,不需要 -
速度是NAND的1000倍!三星:基本完成8nm eMRAM内存开发
叮当号5月31日消息,三星电子在日前的“AI-PIM研讨会”上表示,其8nm版本的eMRAM内存开发已基本完成,正按计划逐步推进制程升级。 eMRAM是一种基于磁性原理的新型内存技术,与传统的DRAM内存相比,它具有非易失性,不需要定期刷新数据,从而实现更高的能效。 此外,eMRAM的写入速度达到了NAND内存的1000倍,这使得它能…