闪存
-
美光宣布量产232层QLC NAND闪存:接口速度达2400MT/s 比上一代提高50%
叮当号4月17日消息,美光公司近日宣布,已成功实现232层QLC NAND闪存的量产,并已向特定关键SSD客户发货。这款革命性的闪存产品不仅面向消费级客户端,同时还将为企业级存储客户和OEM厂商提供强大支持,其中就包括Micron 2500 NVMe SSD。 美光强调,这款四层单元的NAND闪存新品代表了行业的一大突破,其层数和密度均达到前所未有的水平。这…
-
消息称三星电子本季度 NAND 闪存产能环比提升 30%,年内维持约 50% 规模上限
据韩媒《朝鲜日报》报道,三星电子本季度在韩国平泽和中国西安 nand 生产线的晶圆投片量相较上季度提升约30%。不过三星方面对增产持谨慎态度,以免影响到 nand 价格的涨势。
在马力全开的情况下,三星电子 NAND 闪存生产线季度晶圆投片 -
三星明年量产430层闪存!但有人瞄准了1000+层
叮当号4月16日消息,三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存,可用的堆叠层数达290层,相比现在的236层只增加不到23%。 这一代新闪存将采用新的堆叠架构,底部是CMOS层加逻辑电路,上边是145层闪存阵列,再上边又是145层闪存阵列。 这种方法虽然更复杂,但是良品率可以得到很好的保障,而且可以轻松进一步拓展。 按照三星的规划,2025年下半…
-
消息称三星电子最快本月晚些时候量产第 9 代 V
本站 4 月 12 日消息,据韩媒 hankyung 报道,三星最快于本月晚些时候实现第 9 代 v-nand 闪存的量产。
三星高管 Jung-Bae Lee 去年 10 月表示,其下一代 NAND 闪存将于“今年初”量产,拥有业界领先的 -
铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存,重组存储级内存业务
根据日经xTECH报道,铠侠CTO宫岛英史在最近举办的第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示,该企业目标2030~2031年推出1000层的3D NAND 闪存,并对存储级内存(SCM)业务进行了重组。
铠侠与西部数据携手开发 NA -
TrendForce:预估二季度 NAND 闪存合约价继续上涨 13~18%,带动消费级固态硬盘价升逾一成
本站 3 月 29 日消息,trendforce 集邦咨询预估,由于除铠侠-西部数据外的上游闪存企业仍维持低投产策略,nand 闪存合约价将在二季度上涨 13~18%,带动消费级固态硬盘合约价提升 10~15%。
集邦咨询表示,在市场基本面 -
长江存储 QLC 闪存 X3
本站 3 月 28 日消息,据台媒 digitimes 报道,长江存储在中国闪存市场峰会 cfms2024 上表示采用第三代 xtacking 技术的 x3-6070 qlc 闪存已实现 4000 次 p / e 的擦写寿命。
本站注:不同 -
集邦咨询:铠侠及西部数据产能利用率将恢复至 88%,带动 2024 年 NAND 闪存产量增长 10.9%
本站 3 月 20 日消息,集邦咨询近日发布报告,表示铠侠及西部数据率先提升产能利用率,带动全年 nand flash 产量同比增长 10.9%。根据集邦咨询的分析,预计NAND Flash价格上涨的趋势将一直持续到2024年第二季度。一些
-
要涨价!三星电子将与下游厂商就NAND闪存价格谈判 提价15-20%
3月13日晚,报道称三星电机(三星集团旗下子公司)计划在本月至下月期间与主要移动端、PC端及服务器端客户就NAND闪存价格展开新一轮的谈判,旨在将价格提升15~20%。 在经历了长达一年多的供过于求的市场环境后,三星电子的NAND闪存售价一度逼近成本线。 因此,公司决定与大客户展开谈判,以期将价格调整至一个更为合理的水平。 此前,国内重量级的NAND相关业者…
-
美光推出紧凑封装型UFS 4.0:基于232层3D NAND闪存、最高1TB
叮当号2月28日消息,美光宣布开始送样增强版通用闪存(UFS) 4.0 移动解决方案,该方案具有突破性专有固件功能并采用业界领先的紧凑型UFS封装 (9 x 13mm) 。 新款内存基于先进的232层3D NAND技术, 美光UFS 4.0解决方案可实现高达1TB容量,其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。 据悉,…