闪存

叮当号9月20日消息，据媒体报道，长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。 长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层，即使与美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争优势。 据悉，长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓…

叮当号8月25日消息，据媒体报道，自2021年起西部数据和铠侠（Kioxia）就NAND闪存生产业务合并一直在谈判，不过最终因计划遭到了铠侠重要的间接股东SK海力士的强烈反对，加上铠侠的主要股东贝恩资本对于合并条款存在分歧，让西部数据选择中止谈判。 面对挑战，西部数据展现出了战略调整的决心与灵活性。在最新公布的2024财年第一财季财务报告中，公司正式宣布了一…

8月9日消息，在fms 2024峰会上，sk海力士展示了其最新的存储产品，包括尚未正式发布规范的ufs 4.1通用闪存。
据JEDEC固态技术协会官网信息，目前公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS 4.0，其理论接口速度高达46.4

本站 8 月 9 日消息，根据 sk 海力士当地时间昨日发布的新闻稿，该企业在 fms 2024 峰会上展示了系列存储新品，其中就包括尚未正式发布规范的 usf 4.1 通用闪存。根据 JEDEC 固态技术协会官网，目前已公布的最新 UFS

叮当号8月4日消息，据报道，SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存，将于2025年投入大规模量产，再次遥遥领先。 为了达成如此密集的堆叠，SK海力士使用了所谓的4D NAND闪存、混合键合技术，也就是W2W(wafer-to-wafer)结构，将两块晶圆键合在一起，和目前将闪存单元置于外围驱动电路之上的PUC结构截然不同。 这就涉及到了连接不同晶圆的各…

本站 7 月 31 日消息，韩媒 zdnet korea 报道称，三星电子 v9 nand 闪存的 qlc 版本尚未获得量产许可，对平泽 p4 工厂的产线建设规划造成了影响。三星电子今年 4 月宣布其 v9 nand 闪存的 1tb 容量

本站 7 月 30 日消息，美光当地时间今日宣布，其第九代（本站注：276 层）3d tlc nand 闪存量产出货。美光表示其 G9 NAND 拥有业界最高的 3.6GB/s I/O 传输速率（即 3600MT/s 闪存接口速率），较 2

叮当号7月3日消息，铠侠宣布，推出基于第八代BiCS FLASH 3D闪存技术的BiCS8 FLASH 2Tb QLC（四级单元）闪存，目前已开始送样。 据悉，这款2Tb QLC存储器拥有业界最大容量，将存储器容量提升到一个全新的水平，将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。 凭借其最新的BiCS FLASH技术，通过专有工艺和创新架构，铠侠实现了存储芯…

叮当号6月27日消息，铠侠最近公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。 自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长，从初期的24层迅速攀升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度，预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。 在3D NAND闪…

本站 5 月 24 日消息，近日，新紫光集团旗下紫光闪芯发布了「紫光闪存」固态硬盘及闪存产品系列。相关产品系列覆盖企业级、工业级及消费级市场的不同需求，为政府、金融、电信、能源、教育、医疗等领域行业客户和消费者带来存储产品及解决方案。日前，