三星闪存
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三星启动其首批第九代 V
本站 4 月 23 日消息，三星半导体今日宣布，其第九代 v-nand 1tb tlc 产品开始量产，比三星上一代产品提高约 50% 的位密度（bit density），通过通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产
本站 4 月 23 日消息，三星半导体今日宣布，其第九代 v-nand 1tb tlc 产品开始量产，比三星上一代产品提高约 50% 的位密度（bit density），通过通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产
