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imec 首次成功利用 ASML High NA EUV 光刻机实现逻辑、DRAM 结构图案化
本站 8 月 8 日消息,比利时微电子研究中心 imec 当地时间昨日宣布,在其与 asml 合作的 high na euv 光刻实验室首次成功利用 high na euv 光刻机曝光了逻辑和 dram 的图案结构。在逻辑图案方面,imec
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消息称英特尔考虑引入 DSA 技术辅助 High NA EUV 光刻,提升图案质量
本站 4 月 19 日消息,综合外媒 semianalysis 和 the elec 报道,英特尔考虑在未来的 high na euv 光刻节点导入定向自组装 dsa 技术进行辅助。
DSA是一项被认为可部分取代传统光刻的新型图案化技术之一