光刻胶

随着全球半导体制造技术向2nm进程迈进，EUV（极紫外光）光刻胶无疑是其中最关键且难以替代的部分。近期，美国计划对日本的高端材料征收进口关税，这不仅为供应链竞争增添变数，也为材料市场格局带来潜在的重构机会。 〈政策成为新变因，EUV成本压力首要因素〉 研究报告指出，若美国对来自日本的EUV与ArF光刻胶征收10～25%的关税，将导致进口价格上涨10～24%。…

根据湖北九峰山实验室消息，作为半导体制造不可或缺的材料，光刻胶质量和性能是影响集成电路电路电性能、成品率及可靠性的关键因素。然而，光刻胶技术门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。当半导体制造芯片进入到100

叮当号4月2日消息，据湖北九峰山实验室官微消息，九峰山实验室、华中科技大学组成联合研究团队，支持华中科技大学团队突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。 据介绍，该研究通过巧妙的化学结构设计，以两种光敏单元构建“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”，最终得到光刻图像形貌与线边缘粗糙度优良…