3nm
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三星3nm取得突破性进展!Exynos 2500样品已达3.20GHz
叮当号7月14日消息,据媒体报道,三星3nm工艺的Exynos 2500芯片研发取得显著进展。 Exynos 2500的工程样品已经实现了3.20GHz的高频运行,这一频率不仅超越了此前的预期,而且比苹果A15 Bionic更省电,效率表现更为出色。 此前,有关三星3nm GAA工艺良率过低的担忧一度影响了市场对Exynos 2500的信心,特别是在Gala…
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性能暴增3.7倍!三星发布首款3nm芯片Exynos W1000:主频1.6GHz
叮当号7月3日消息,三星今天正式发布了其首款3nm工艺芯片——Exynos W1000。 这款芯片专为可穿戴设备设计,预计将应用于即将推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。 Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工艺,搭载了1个Cortex-A78大核心和4个Cortex…
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自家3nm良率惨不忍睹:三星Galaxy S25可能首次引入联发科
有猜测认为,三星的新旗舰Galaxy S25系列可能会首次引入联发科天玑平台。 原因有三: 一是三星全新的3nm工艺太拉胯。 虽然三星砸下血本,首次用上了GAA晶体管,但结果惨不忍睹,制造自己家的Exynos 2500处理器良品率还不到20%,根本无法满足。 二是避免高通一家独大。 据称下一代骁龙8 Gen4会涨价25-30%而达到240-260美元,Gal…
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台积电获Intel 3nm PC处理器订单!含酷睿Ultra 200全系
叮当号6月19日消息,据媒体报道,有业内人士透露称,台积电成功获得Intel 3nm PC处理器订单,涵盖即将推出的酷睿Ultra 200系列全系产品,目前已开始在纯晶圆代工厂生产晶圆。 报道称,台积电已开始使用其3nm EUV FinFET工艺为Intel的新笔记本处理器生产芯片,预计首批产品将是Lunar Lake系列。 此外,Arrow Lake系列的…
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三星宣布与Synposys合作优化2nm芯片:明年量产
叮当号6月17日消息,三星宣布与Synposys(新思科技)合作优化2nm工艺。 据悉,Synopsys的AI驱动设计技术协同优化 (DTCO)解决方案优化了三星2nm工艺,改善了面积、性能和能效。 按照计划,三星在明年量产2nm芯片,据了解,三星2nm优化了多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构,还引入了独特的外延和集成工艺,与现有的FinFET相比,…
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台积电3nm供不应求引涨价潮!NVIDIA、AMD、苹果等都要涨价
叮当号6月16日消息,据媒体报道,随着台积电3纳米供不应求,预期台积电3纳米订单满至2026年,NVIDIA、苹果、AMD和高通等都在考虑提高AI硬件价格。 在AI服务器、HPC应用与高阶智能手机AI化驱动下,苹果、高通、英伟达、AMD等四大厂传大举包下台积电3纳米家族制程产能,并涌现客户排队潮,一路排到2026年。 业界认为,在客户抢着预订产能下,台积3纳…
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三星:2025年量产2nm工艺
叮当号6月13日消息,据媒体报道,在加利福尼亚州圣何塞举办的2024年三星晶圆代工论坛年度博览会上,三星公布了最新的半导体芯片工艺路线图。 三星宣布将在2025年量产2nm芯片,计划在2027年量产1.4nm芯片,其中三星的2nm工艺布局了多个节点,第一代2nm工艺是SF2,后续三星又布局了SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等多个节点。 据悉,三星第一代…
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台积电3nm产能今年将增加3倍!南京厂获“无限期豁免”!
5月23日,台积电召开了“2024技术论坛台湾站”活动,分享了台积电最新的技术进展与产能布局,同时还确认台积电南京厂近日获得了美国商务部的“无限期豁免”许可。 2030年前,通过3D封装实现单芯片集成1万亿个晶体管 在当天的技术论坛上,台积电亚太业务处长万睿洋开场致词。他表示,展望未来AI创新,高性能、3D芯片…
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对标台积电!三星3nm芯片下半年量产:Galaxy S25全球首发
叮当号5月22日消息,据媒体报道,三星将在2024年下半年开始大规模量产3nm Exynos处理器,命名为Exynos 2500,由三星Galaxy S25系列首发搭载。 资料显示,去年台积电率先量产商用3nm制程,由苹果A17 Pro、M4首批搭载。 时隔一年时间,高通、联发科也将拥抱3nm制程,今年下半年,高通骁龙8 Gen4、联发科天玑9400等都将切…
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安卓阵营开启3nm时代!三星宣布3nm芯片成功流片
叮当号5月8日消息,三星宣布,3nm芯片顺利流片,为芯片的大规模量产做好了准备。 据悉,三星与Synopsys公司合作,双方对整个芯片制造过程进行微调,从而最大限度提升芯片良率。 这是三星第一款3nm芯片,它采用Gate All Around(GAA)工艺,三星GAA设计被称为MCBFET,即多信道桥式FET。 三星称,与传统3nm芯片相比,自家3nm GA…