三星电子

本站 5 月 6 日消息，Synopsys 新思科技近日宣布，三星电子成功采用新思科技的 Synopsys.ai EDA 套件，完成基于 GAA 晶体管结构（3nm 及以下制程）的“高性能移动 SoC”生产流片。
新思科技表示，三星电子的

本站4月30日消息，三星电子在今日发布的一季度财报中分享了其半导体相关业务的技术信息和未来展望，本站整理如下：
系统 LSI
三星表示整体晶圆代工业务的复苏相对延迟，但晶圆厂的运营效率有一定提升。
技术方面，三星称其 3nm 和 2nm

根据韩媒etnews的报道，据业内人士称，三星电子近期已将nand产能利用率提升至90%，相较一季度的80%进一步提升。
本站注：对于三星电子的 NAND 业务，韩媒中 ETNews 和 The Elec 持较为乐观的态度，后者 3 月表示

本站 4 月 17 日消息，三星近日宣布已开发出其首款支持高达 10.7gbps 速率的 lpddr5x dram 内存。
参考本站以往报道，目前其他厂商的 LPDDR5X DRAM 内存最高速率为 9.6Gbps。
三星表示，这款 10.

据韩媒《朝鲜日报》报道，三星电子本季度在韩国平泽和中国西安 nand 生产线的晶圆投片量相较上季度提升约30%。不过三星方面对增产持谨慎态度，以免影响到 nand 价格的涨势。
在马力全开的情况下，三星电子 NAND 闪存生产线季度晶圆投片

本站 4 月 12 日消息，据韩媒 hankyung 报道，三星最快于本月晚些时候实现第 9 代 v-nand 闪存的量产。
三星高管 Jung-Bae Lee 去年 10 月表示，其下一代 NAND 闪存将于“今年初”量产，拥有业界领先的

本站 4 月 9 日消息，据韩媒 Businesskorea 报道，SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产。
进入 20~10nm 制程后，一般以 1 + 字母的形式称呼内存世代，1c nm 即对应美光

报道称，三星电子的高管dae woo kim表示，在2024年韩国微电子和封装学会年会上，三星电子将完成采用16层混合键合hbm内存技术的验证。据悉，这项技术已通过技术验证。报道还称，此次技术验证将为未来若干年内的内存市场发展奠定基础。
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本站4月3日消息，据《朝鲜日报》援引Omdia方面报告称，三星电子、SK海力士下半年DRAM内存晶圆投片量有望回归减产前水平，结束近一年的减产，实现DRAM领域业务正常化。报告指出，全球DRAM市场在2020年经历了供应大幅减少、价格上涨

据韩国媒体报道，三星电子在京畿道水原市的水原会议中心举行了”第 55 届股东大会”和”股东对话”。公司宣布了雄心勃勃的计划，计划到 2027 年，将其半导体业务重新夺回世界第一的地位。这一目标显示了三星电子在半导体领域的雄心壮志，并为未来发