三星电子
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消息称英特尔 CEO 帕特・基辛格明年将首度于 ISSCC 发表全会演讲,介绍代工进展
本站 8 月 9 日消息,韩媒《朝鲜日报》报道称,英特尔 ceo 帕特・基辛格将出席于当地时间 2025 年 2 月 16 日~20 日在旧金山举行的下届 ieee isscc 国际固态电路会议,并将首度在 isscc 全体会议发布主题演讲
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三星电子:64TB QLC 服务器固态硬盘正接受客户审查,128TB 款四季度加入产品线
本站 8 月 9 日消息,根据三星电子第二季度财报电话会议逐字稿,三星高管表示 64tb 容量的 qlc 服务器固态硬盘目前正在接受客户审查,将于 2024 年第四季度进入量产阶段。
三星电子还将在四季度把 128TB 固态硬盘添加到其产品 -
韩国 98% 股票下跌:三星电子跌幅超 10%、创 2008 年以来最大跌幅
本站 8 月 5 日消息,韩联社报道称,受美国经济指标恶化的不利影响,韩国综合股价指数(kospi、由所有在韩国交易所内交易的股票价格来计算)5 日盘中跌破 2500 点。在 kospi 上市的股票中,98% 的股票出现下跌。截至本站发文,
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消息称三星电子 V9 QLC NAND 闪存尚未获量产就绪许可,影响平泽 P4 工厂规划
本站 7 月 31 日消息,韩媒 zdnet korea 报道称,三星电子 v9 nand 闪存的 qlc 版本尚未获得量产许可,对平泽 p4 工厂的产线建设规划造成了影响。三星电子今年 4 月宣布其 v9 nand 闪存的 1tb 容量
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三星电子:正按计划推进 eMRAM 内存制程升级,8nm 版本基本完成开发
本站 5 月 31 日消息,三星电子代表昨日在韩国“ai-pim 研讨会”上表示,正按计划逐步推进 emram 内存的制程升级,目前 8nm emram 的技术开发已基本完成。
作为一种新型内存,MRAM 基于磁性原理,具有非易失性,不需要 -
消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM,提升能效竞争力
本站 5 月 17 日消息,韩媒 ZDNet Korea 今日报道称,三星电子考虑在 HBM4 内存上使用 1c nm 制程(第六代 10+nm 级)DRAM 裸片,以提升其产品在能效等方面的竞争力。
三星电子代表今年早些时候在行业会议 -
SK 海力士、三星电子:整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存
本站 5 月 14 日消息,据韩媒 Hankyung 报道,两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示,整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。
相较于通用 DRAM,HBM 内存坐拥更高单 -
消息称三星电子 8 层堆叠 HBM3E 内存尚未正式通过英伟达验证
本站 5 月 13 日消息,韩媒 alphabiz 报道称,三星电子的 8 层堆叠(8hi)hbm3e 内存尚未正式通过英伟达的测试,仍需进一步验证。
台积电不仅向英伟达提供先进 AI GPU 的代工,同时还负责 AI GPU 同 HBM -
消息称 SK 海力士、三星电子陆续停产 DDR3 内存,带动市场价格上行
本站 5 月 13 日消息,据台媒《经济日报》报道,sk 海力士、三星电子,将从下半年停止向市场供应 ddr3 内存,带动近期 ddr3 dram 价格上涨,最高涨幅达两成。
DDR3 目前已成为利基产品,在机顶盒、Wi-Fi 路由器、交换 -
消息称三星电子已提前组建 1dnm DRAM 内存技术开发团队,目标重建优势
本站 5 月 9 日消息,韩媒 Sedaily 援引行业消息人士的话称,三星电子近日决定组建 1dnm DRAM 内存的技术开发团队。
目前 DRAM 内存行业的最新制程是 10+ nm 系列的第五代工艺,即 1bnm;
三大内存厂商 —