三星电子
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三星电子:正按计划推进 eMRAM 内存制程升级,8nm 版本基本完成开发
本站 5 月 31 日消息,三星电子代表昨日在韩国“ai-pim 研讨会”上表示,正按计划逐步推进 emram 内存的制程升级,目前 8nm emram 的技术开发已基本完成。
作为一种新型内存,MRAM 基于磁性原理,具有非易失性,不需要 -
消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM,提升能效竞争力
本站 5 月 17 日消息,韩媒 ZDNet Korea 今日报道称,三星电子考虑在 HBM4 内存上使用 1c nm 制程(第六代 10+nm 级)DRAM 裸片,以提升其产品在能效等方面的竞争力。
三星电子代表今年早些时候在行业会议 -
SK 海力士、三星电子:整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存
本站 5 月 14 日消息,据韩媒 Hankyung 报道,两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示,整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。
相较于通用 DRAM,HBM 内存坐拥更高单 -
消息称三星电子 8 层堆叠 HBM3E 内存尚未正式通过英伟达验证
本站 5 月 13 日消息,韩媒 alphabiz 报道称,三星电子的 8 层堆叠(8hi)hbm3e 内存尚未正式通过英伟达的测试,仍需进一步验证。
台积电不仅向英伟达提供先进 AI GPU 的代工,同时还负责 AI GPU 同 HBM -
消息称 SK 海力士、三星电子陆续停产 DDR3 内存,带动市场价格上行
本站 5 月 13 日消息,据台媒《经济日报》报道,sk 海力士、三星电子,将从下半年停止向市场供应 ddr3 内存,带动近期 ddr3 dram 价格上涨,最高涨幅达两成。
DDR3 目前已成为利基产品,在机顶盒、Wi-Fi 路由器、交换 -
消息称三星电子已提前组建 1dnm DRAM 内存技术开发团队,目标重建优势
本站 5 月 9 日消息,韩媒 Sedaily 援引行业消息人士的话称,三星电子近日决定组建 1dnm DRAM 内存的技术开发团队。
目前 DRAM 内存行业的最新制程是 10+ nm 系列的第五代工艺,即 1bnm;
三大内存厂商 — -
三星 GAA 工艺高性能移动 SoC 成功生产流片,采用新思科技 EDA 套件
本站 5 月 6 日消息,Synopsys 新思科技近日宣布,三星电子成功采用新思科技的 Synopsys.ai EDA 套件,完成基于 GAA 晶体管结构(3nm 及以下制程)的“高性能移动 SoC”生产流片。
新思科技表示,三星电子的 -
三星电子:4nm 节点良率趋于稳定,二季度开始量产 HBM3E 12H 内存
本站4月30日消息,三星电子在今日发布的一季度财报中分享了其半导体相关业务的技术信息和未来展望,本站整理如下:
系统 LSI
三星表示整体晶圆代工业务的复苏相对延迟,但晶圆厂的运营效率有一定提升。
技术方面,三星称其 3nm 和 2nm -
消息称三星电子基本实现 NAND 闪存业务正常化,整体产线利用率达九成
根据韩媒etnews的报道,据业内人士称,三星电子近期已将nand产能利用率提升至90%,相较一季度的80%进一步提升。
本站注:对于三星电子的 NAND 业务,韩媒中 ETNews 和 The Elec 持较为乐观的态度,后者 3 月表示 -
三星推出业界最快 10.7Gbps LPDDR5X 内存,实现 32GB 单封装容量
本站 4 月 17 日消息,三星近日宣布已开发出其首款支持高达 10.7gbps 速率的 lpddr5x dram 内存。
参考本站以往报道,目前其他厂商的 LPDDR5X DRAM 内存最高速率为 9.6Gbps。
三星表示,这款 10.