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AI 潮影响明显,TrendForce 上修本季度 DRAM 内存、NAND 闪存合约价涨幅预测
根据trendforce的调查报告显示,ai浪潮对dram内存和nand闪存市场带来明显影响。在本站5月7日消息中,trendforce集邦咨询在今日的最新研报中称该机构调升本季度两类存储产品的合约价格涨幅。
具体而言,TrendForce -
三星启动其首批第九代 V
本站 4 月 23 日消息,三星半导体今日宣布,其第九代 v-nand 1tb tlc 产品开始量产,比三星上一代产品提高约 50% 的位密度(bit density),通过通道孔蚀刻技术(channel hole etching)提高生产
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消息称三星电子基本实现 NAND 闪存业务正常化,整体产线利用率达九成
根据韩媒etnews的报道,据业内人士称,三星电子近期已将nand产能利用率提升至90%,相较一季度的80%进一步提升。
本站注:对于三星电子的 NAND 业务,韩媒中 ETNews 和 The Elec 持较为乐观的态度,后者 3 月表示 -
美光宣布业界率先推出 232 层 QLC 闪存,同步发布 2500 固态硬盘
本站 4 月 17 日消息,美光宣布其在业界率先推出 232 层 qlc nand 闪存。
该闪存在消费级零售端已用于特定英睿达固态产品中,在消费级 OEM 端已随 2500 固态硬盘向客户出样,在企业端已开始为存储企业进行批量生产。
美光 -
消息称三星电子本季度 NAND 闪存产能环比提升 30%,年内维持约 50% 规模上限
据韩媒《朝鲜日报》报道,三星电子本季度在韩国平泽和中国西安 nand 生产线的晶圆投片量相较上季度提升约30%。不过三星方面对增产持谨慎态度,以免影响到 nand 价格的涨势。
在马力全开的情况下,三星电子 NAND 闪存生产线季度晶圆投片 -
消息称三星电子最快本月晚些时候量产第 9 代 V
本站 4 月 12 日消息,据韩媒 hankyung 报道,三星最快于本月晚些时候实现第 9 代 v-nand 闪存的量产。
三星高管 Jung-Bae Lee 去年 10 月表示,其下一代 NAND 闪存将于“今年初”量产,拥有业界领先的 -
铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存,重组存储级内存业务
根据日经xTECH报道,铠侠CTO宫岛英史在最近举办的第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示,该企业目标2030~2031年推出1000层的3D NAND 闪存,并对存储级内存(SCM)业务进行了重组。
铠侠与西部数据携手开发 NA -
集邦咨询:铠侠及西部数据产能利用率将恢复至 88%,带动 2024 年 NAND 闪存产量增长 10.9%
本站 3 月 20 日消息,集邦咨询近日发布报告,表示铠侠及西部数据率先提升产能利用率,带动全年 nand flash 产量同比增长 10.9%。根据集邦咨询的分析,预计NAND Flash价格上涨的趋势将一直持续到2024年第二季度。一些