nand

本站 8 月 9 日消息，根据 sk 海力士当地时间昨日发布的新闻稿，该企业在 fms 2024 峰会上展示了系列存储新品，其中就包括尚未正式发布规范的 usf 4.1 通用闪存。根据 JEDEC 固态技术协会官网，目前已公布的最新 UFS

本站 8 月 1 日消息，泛林集团 lam research 当地时间昨日宣布推出面向 3d nand 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 lam cyro 3.0。泛林集团全球产品部高级副总裁 sesha varadarajan 表示：la

本站 7 月 31 日消息，韩媒 zdnet korea 报道称，三星电子 v9 nand 闪存的 qlc 版本尚未获得量产许可，对平泽 p4 工厂的产线建设规划造成了影响。三星电子今年 4 月宣布其 v9 nand 闪存的 1tb 容量

本站 7 月 30 日消息，美光当地时间今日宣布，其第九代（本站注：276 层）3d tlc nand 闪存量产出货。美光表示其 G9 NAND 拥有业界最高的 3.6GB/s I/O 传输速率（即 3600MT/s 闪存接口速率），较 2

根据trendforce的调查报告显示，ai浪潮对dram内存和nand闪存市场带来明显影响。在本站5月7日消息中，trendforce集邦咨询在今日的最新研报中称该机构调升本季度两类存储产品的合约价格涨幅。
具体而言，TrendForce

本站 4 月 23 日消息，三星半导体今日宣布，其第九代 v-nand 1tb tlc 产品开始量产，比三星上一代产品提高约 50% 的位密度（bit density），通过通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产

根据韩媒etnews的报道，据业内人士称，三星电子近期已将nand产能利用率提升至90%，相较一季度的80%进一步提升。
本站注：对于三星电子的 NAND 业务，韩媒中 ETNews 和 The Elec 持较为乐观的态度，后者 3 月表示

本站 4 月 17 日消息，美光宣布其在业界率先推出 232 层 qlc nand 闪存。
该闪存在消费级零售端已用于特定英睿达固态产品中，在消费级 OEM 端已随 2500 固态硬盘向客户出样，在企业端已开始为存储企业进行批量生产。
美光

据韩媒《朝鲜日报》报道，三星电子本季度在韩国平泽和中国西安 nand 生产线的晶圆投片量相较上季度提升约30%。不过三星方面对增产持谨慎态度，以免影响到 nand 价格的涨势。
在马力全开的情况下，三星电子 NAND 闪存生产线季度晶圆投片

本站 4 月 12 日消息，据韩媒 hankyung 报道，三星最快于本月晚些时候实现第 9 代 v-nand 闪存的量产。
三星高管 Jung-Bae Lee 去年 10 月表示，其下一代 NAND 闪存将于“今年初”量产，拥有业界领先的