DRAM

本站 8 月 12 日消息，韩媒 etnews 报道称，三星电子内部已确认在平泽 p4 工厂建设 1c nm dram 内存产线的投资计划，该产线目标明年 6 月投入运营。平泽 p4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期

本站 7 月 26 日消息，据韩媒 the elec 报道，来自分析机构 techinsights 的 choi jeong-dong 博士表示，采用 3d、4f2、vct（垂直通道晶体管）等创新结构的 dram 内存有望于 0c nm 节

叮当号6月25日消息，据媒体报道，SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果，展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。 据最新消息，SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了显著进展，并首次详细公布了其开发的具体成果和特性。公司正全力加速这一前沿技术的开发，并已取得重大突破。 SK海力士透露，目…

本站 6 月 24 日消息，韩媒 businesskorea 报道，业内人士透露 sk 海力士在 6 月 16 至 20 日在美国夏威夷举行的 vlsi 2024 峰会上发表了有关 3d dram 技术的最新研究论文。
在这篇论文中，SK

本站 6 月 4 日消息，戴尔 COO 杰弗里・克拉克（Jeffrey Clarke）在公司 2025 财年第一季度（本站注：截至 2024 年 5 月 3 日）财报电话会议上警告，下半年 DRAM 内存和固态硬盘将继续迎来价格上涨。
克

据日媒报道，美国芯片巨头美光科技计划在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片，据称其最快2027年底便可投入营运。 美光计划在日建厂 据报道，美光科技预计将投入6000亿-8000亿日圆（约合51亿美元）。这座新厂将于2026年初动工，并安装EUV设备。 美光原本早就有在日建厂的计划，最初的计划曾预计推动新厂在2024年便投入营运。但此前，由于市场状况不佳…

本站 5 月 14 日消息，据韩媒 Hankyung 报道，两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。
相较于通用 DRAM，HBM 内存坐拥更高单

本站 5 月 13 日消息，据台媒《经济日报》报道，sk 海力士、三星电子，将从下半年停止向市场供应 ddr3 内存，带动近期 ddr3 dram 价格上涨，最高涨幅达两成。
DDR3 目前已成为利基产品，在机顶盒、Wi-Fi 路由器、交换