堆叠技术
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业界首款！三星成功开发12层堆叠36GB HBM3E内存：带宽达1280GB/s
叮当号2月27日消息，今天，三星电子官方宣布，成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM，巩固了在高容量HBM市场的领先地位。 通过采用TSV技术，三星将24Gb DRAM芯片堆叠到12层，从而实现业界最大的36GB HBM3E 12H容量。 据介绍，HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，…
叮当号2月27日消息，今天，三星电子官方宣布，成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM，巩固了在高容量HBM市场的领先地位。 通过采用TSV技术，三星将24Gb DRAM芯片堆叠到12层，从而实现业界最大的36GB HBM3E 12H容量。 据介绍，HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，…
