HBM3E

  • 重磅!三星8层HBM3E芯片据称通过英伟达测试 四季度开始供货

    据三名知情人士对媒体透露,全球最大存储芯片制造商三星电子的第五代高带宽内存芯片(HBM3E)的8层版本已通过英伟达的测试,可用于其人工智能处理器。 这对于三星来说绝对是一个重大突破。目前,全球HBM的主要制造商只有SK海力士、美光和三星三家。此前,在HBM芯片的供应竞赛中,三星一直落后于其竞争对手SK海力士。而假如三星能够向英伟达供应HBM3E芯片,将使其在…

    2024-08-07
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  • NVIDIA13亿美元大单预定HBM3E内存:力争上半年算力垄断

    叮当号6月21日消息,据媒体报道,NVIDIA近期开出13亿美元的预算,向美光和SK海力士预订HBM3E的产能,以确保其GH200和H200芯片的顺利出货。 尽管有专家指出,13亿美元的预算数字尚需进一步确认,但即便不可能包下全球今年HBM 产能,但可帮NVIDIA抢下今年上半“垄断算力”的商机,因为若产品先上市,就能先抢到市占率。 …

    2024-06-21
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  • SK海力士出局!三星独家供货英伟达12层HBM3E内存

    叮当号3月25日消息,据媒体报道,英伟达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存,这些内存将由三星电子独家供货。 在GTC 2024上,黄仁勋曾在三星电子的12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证(JENSEN APPROVED)"的签名。 而SK海力士因部分工程问题,未能推出12层HBM3E产品,但计划从本月末开始批量生产8层H…

    2024-03-25
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  • 业界首款!三星成功开发12层堆叠36GB HBM3E内存:带宽达1280GB/s

    叮当号2月27日消息,今天,三星电子官方宣布,成功开发出业界首款36GB 12H(12层堆叠)HBM3E DRAM,巩固了在高容量HBM市场的领先地位。 通过采用TSV技术,三星将24Gb DRAM芯片堆叠到12层,从而实现业界最大的36GB HBM3E 12H容量。 据介绍,HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量,…

    2024-02-27
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  • 美光量产HBM3E高带宽内存:功耗将比对手产品低30%

    叮当号2月27日消息,美光宣布开始量产HBM3E高带宽内存。美光称,其HBM3E的功耗将比竞争对手的产品低30%。 据悉,美光的HBM3E将应用于英伟达下一代AI芯片H200 Tensor Core GPU。之前英伟达的HBM由SK海力士独家供应,如今美光、三星都将加入。 HBM(High Bandwidth Memory)即高带宽存储器,属于图形DDR内存…

    2024-02-27
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