极紫外光刻
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日本提出EUV光刻新方案:光源功率可降低10倍、成本将大幅下降!
8月7日消息,近日日本冲绳科学技术大学(OIST)的Tsumoru Shintake教授带领的研究团队提出了一项全新、大幅简化的面向极紫外(EUV)光刻机的双反射镜系统。 相比传统的至少需要六面反射镜的配置,新的光学投影系统仅使用了两面反射镜,在确保系统维持较高的光学性能的同时,能让EUV光线以超过初始值10%的功率到达晶圆,相比传统系统中仅1%的功率来说,…
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价值3.83亿美元!Intel拿下全球第二台High NA EUV光刻机
叮当号8月6日消息,在近日的财报电话会议上,Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV(极紫外光刻机)。 High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一,其分辨率达到8纳米,能够显著提升芯片的晶体管密度和性能,是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。 帕特·基辛格表示,第二台Hi…
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可量产0.2nm工艺!ASML公布Hyper NA EUV光刻机:死胡同不远了
叮当号6月16日消息,ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机,同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机,预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右,也就是2埃米。 ASML第一代Low NA EUV光刻机孔径数值只有0.33,对应产品命名NXE系列,包括已有的3400B/C、3600D、3800E,以及未来的400…
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Intel 14A工艺至关重要!2025年之后稳定领先
这几年,Intel以空前的力度推进先进制程工艺,希望以最快的速度反超台积电,重夺领先地位,现在又重申了这一路线,尤其是意欲通过未来的14A 1.4nm级工艺,在未来巩固自己的领先地位。 目前,Intel正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标,Intel 7工艺、采用EUV极紫外光刻技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模…
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日本EUV光罩基底大厂170万个文件被盗:勒索1000万美元
据法国媒体LeMagIT报道,日本光学技术领导厂商 Hoya Corporation (豪雅)最近承认其遭遇了勒索软件的攻击,其总部和几个业务部门IT系统受到了影响。如果不支付1000万美元,其包括EUV掩模坯料和光掩模(光罩基底及光罩)在内的机密可能将会被曝光。 据报道,针对Hoya网络攻击是由“Hunters International&rd…
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ASML研究超级NA光刻机!2036年冲击0.2nm工艺
叮当号2月17日消息,ASML已经向Intel交付第一台高NA EUV极紫外光刻机,将用于2nm工艺以下芯片的制造,台积电、三星未来也会陆续接收,可直达1nm工艺左右。 那么之后呢?消息称,ASML正在研究下一代Hyper NA(超级NA)光刻机,继续延续摩尔定律。 ASML第一代Low NA EUV光刻机只有0.33 NA(孔径数值),临界尺寸(CD)为1…
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27亿元!ASML公开展示高NA EUV光刻机:能造2nm以下工艺
近日,全球光刻机大厂ASML首次在其荷兰总部向媒体公开展示了最新一代的High NA EUV光刻机。 除了已经率先获得全球首台High NA EUV光刻机的英特尔之外,台积电和三星订购High NA EUV预计最快2026年陆续到位,届时High NA EUV将成为全球三大晶圆制造厂实现2nm以下先进制程大规模量产的必备“武器”。 A…
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台积电不用新一代EUV光刻机!2023年的1nm再说
叮当号2月8日消息,Intel已于日前接受了ASML的第一台新一代高NA EUV光刻机,但是台积电一直不为所动,可能要到1nm工艺时代才会跟进。 Intel计划将高NA EUV光刻机用于Intel 18A后的制程节点,也就是超过1.8nm,时间大概在2026-2027年。 Intel此前公布的路线图上,18A之后已经安排了三个新的制程节点,但尚未具体命名。 …