美光
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美光：HBM 内存消耗 3 倍晶圆量，明年产能基本预定完毕
本站 3 月 21 日消息，美光在发布季度财报后举行了电话会议。在该会议上美光 ceo 桑杰・梅赫罗特拉（sanjay mehrotra）表示，相对于传统内存，hbm 对晶圆量的消耗明显更高。
美光表示，在同一节点生产同等容量的情况下，目前 -
损失数十亿！南亚内存20nm技术被内鬼偷走：源自美光
据媒体报道，中国台湾内存大厂南亚(Nanya)发生了一起内部窃密案，涉及到20nm工艺技术，造成严重损失。 2015-2016年间，南亚从美光引入了20nm DRAM内存芯片制造工艺，曾向相关业务部门的员工开设了线上培训课程。 南亚锦兴工厂的一位李姓小组长在参加培训的过程中，通过截屏的方式，偷偷记录了相关技术资料，作为自己后续跳槽的资本。 李某被抓获后，桃园…
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美光推出紧凑封装型UFS 4.0：基于232层3D NAND闪存、最高1TB
叮当号2月28日消息，美光宣布开始送样增强版通用闪存（UFS） 4.0 移动解决方案，该方案具有突破性专有固件功能并采用业界领先的紧凑型UFS封装 (9 x 13mm) 。 新款内存基于先进的232层3D NAND技术， 美光UFS 4.0解决方案可实现高达1TB容量，其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。 据悉，…
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被判无罪！“国产内存窃密案”受害者福建晋华赢得美国司法部诉讼
叮当号2月28日消息，据外媒最新报道称，在美国商务部将福建晋华集成电路有限公司列为对国家安全构成威胁的实体名单五年多后，美国旧金山地区法官Maxine M. Chesney经过非陪审团审判后裁定该公司无罪。 Maxine M. Chesney的结论是，美国检察官未能证明福建晋华盗用了美国最大存储芯片制造商美光科技公司的专有数据，据称这些数据在与福建晋华的制造…
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史无前例！全球最小UFS 4.0手机存储发布
叮当号2月27日消息，据媒体报道，美光科技在MWC2024上发布全球最小的UFS 4.0手机存储解决方案。 官方介绍，之所以开发行业最小的手机存储解决方案，主要推动力来源于智能手机厂商，他们希望能为手机电池提供更大的内部空间。 据了解，这款存储基于232层3D NAND技术构建，尺寸只有9×13mm，跟去年6月份发布的11×13mm存…
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美光量产HBM3E高带宽内存：功耗将比对手产品低30％
叮当号2月27日消息，美光宣布开始量产HBM3E高带宽内存。美光称，其HBM3E的功耗将比竞争对手的产品低30％。 据悉，美光的HBM3E将应用于英伟达下一代AI芯片H200 Tensor Core GPU。之前英伟达的HBM由SK海力士独家供应，如今美光、三星都将加入。 HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，属于图形DDR内存…
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读速高达14500MB/s！美光推出英睿达Pro系列Gen5固态硬盘、DDR5超频内存
叮当号2月21日消息，今天，美光宣布推出两款全新Crucial英睿达Pro系列产品，包括Crucial 英睿达DDR5 Pro内存：超频版和Crucial英睿达T705 Gen5固态硬盘。 T705固态硬盘采用了美光232层TLC NAND，可充分释放Gen5性能潜力，顺序读取和写入速度分别高达14500MB/s和12700MB/s（1550K/1800K …
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14.5GB/s！这大概就是最快的PCIe 5.0 SSD：关键没风扇
叮当号2月6日消息，PCIe 5.0 SSD不断成熟，读写速度越来越快，尤其是随机读取最初只有10GB/s左右，后来升级到12GB/s左右，如今终于开始突破14GB/s，越来越接近PCIe 5.0 x4通道的极限。 美光旗下英睿达正在准备新款T705系列，再次创造14.5GB/s的新纪录。 英睿达T705采用美光的B58R FortisFlash TLC闪存…
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14.5GB/s！这大概就是最快的PCIe 5.0 SSD
叮当号2月6日消息，PCIe 5.0 SSD不断成熟，读写速度越来越快，尤其是随机读取最初只有10GB/s左右，后来升级到12GB/s左右，如今终于开始突破14GB/s，越来越接近PCIe 5.0 x4通道的极限。 美光旗下英睿达正在准备新款T705系列，再次创造14.5GB/s的新纪录。 英睿达T705采用美光的B58R FortisFlash TLC闪存…
