HBM
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SK 海力士 HBM4E 内存有望采用 1c nm 32Gb DRAM 裸片,进一步提升容量
本站 5 月 14 日消息,sk 海力士在 2024 年度 ieee imw 国际存储研讨会上不仅分享了 hbm4e 内存开发周期将缩短到一年的预期,也介绍了该内存的更多细节。
SK 海力士技术人员 Kim Kwi Wook 表示,这家企业 -
消息称三星电子 8 层堆叠 HBM3E 内存尚未正式通过英伟达验证
本站 5 月 13 日消息,韩媒 alphabiz 报道称,三星电子的 8 层堆叠(8hi)hbm3e 内存尚未正式通过英伟达的测试,仍需进一步验证。
台积电不仅向英伟达提供先进 AI GPU 的代工,同时还负责 AI GPU 同 HBM -
对AI需求展望极具信心!明年HBM内存价格最高再涨10%
叮当号5月6日消息,据媒体报道,今天TrendForce集邦咨询表示,今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价。 不过受限于DRAM总产能有限,为避免产能排挤效应,供应商已经初步调涨5%-10%,包含HBM2e,HBM3与HBM3e。 之所以议价时间会提前到二季度,集邦咨询表示原因主要包括三点: 1、HBM买方对AI需求展望仍具高度信心,愿意接受价格续涨…
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消息称英伟达“煽动”三星与 SK 海力士之间的竞争,以降低 HBM 价格
本站 5 月 5 日消息,当地时间周五,据韩媒 business korea 援引分析师消息称,英伟达正在刺激三星电子与 sk 海力士之间的竞争,这两家企业当前正处于 hbm(本站注:高带宽内存)市场的“头部”地位。在三星电子宣布要加强“技
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三星:已完成16层混合键合HBM内存验证 整体高度缩减
叮当号4月9日消息,据媒体报道,三星电子高管近日透露,该公司完成了采用16层混合键合 HBM 内存技术验证,已制造出基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存样品,该内存样品工作正常,未来16层堆叠混合键合技术将用于HBM4内存量产。 混合键合技术,作为新型的内存键合方式,相较于传统工艺,展现出了显著的优势。 它摒弃了DRAM内存层间添加凸块的繁琐步骤,通过铜…
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三星宣布完成 16 层混合键合堆叠工艺技术验证,有望在 HBM4 内存大面积应用
报道称,三星电子的高管dae woo kim表示,在2024年韩国微电子和封装学会年会上,三星电子将完成采用16层混合键合hbm内存技术的验证。据悉,这项技术已通过技术验证。报道还称,此次技术验证将为未来若干年内的内存市场发展奠定基础。
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美光:HBM 内存消耗 3 倍晶圆量,明年产能基本预定完毕
本站 3 月 21 日消息,美光在发布季度财报后举行了电话会议。在该会议上美光 ceo 桑杰・梅赫罗特拉(sanjay mehrotra)表示,相对于传统内存,hbm 对晶圆量的消耗明显更高。
美光表示,在同一节点生产同等容量的情况下,目前 -
SK海力士加大HBM封装投入:投资10亿美元建造先进封装设施
叮当号3月11日消息,据媒体报道,SK海力士正在加大在先进芯片封装方面的支出,希望抓住市场对高带宽内存(HBM)需求日益增长而带来的机遇。 SK海力士研发工作的副总裁表示,SK海力士正在加大在先进芯片封装方面的支出,打算在韩国投资10亿美元建造先进封装设施,以进一步扩大先进封装产能。 希望能够抓住市场对高带宽存储器日益增长的需求带来的机遇,同时巩固SK海力士…
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中国准备自己造HBM内存!采购设备已获美国批准
叮当号2月4日消息,据媒体报道,中国领先的存储企业长鑫存储(CXMT)已经开始准备必要设备,计划制造自己的HBM高带宽内存,以满足迫切的AI、HPC应用需求。 报道称,长鑫已经在向美国、日本的供应商下单采购制造、组装、测试HBM内存的必要设备。 这说明,相关开发设计工作已经完成,可以转入投产阶段。 消息人士称,早在2023年中,Applied Materia…