HBM4

本站 5 月 17 日消息，韩媒 ZDNet Korea 今日报道称，三星电子考虑在 HBM4 内存上使用 1c nm 制程（第六代 10+nm 级）DRAM 裸片，以提升其产品在能效等方面的竞争力。
三星电子代表今年早些时候在行业会议

叮当号5月14日消息，随着人工智能和高性能计算需求的不断增长，HBM4内存技术的竞争已经进入白热化阶段。 三星、SK海力士和美光科技等存储巨头正在激烈争夺这一领域的领先地位。 三星电子在经历了HBM市场的初步挫折后，决心在HBM4上实现翻盘。三星总裁庆桂显强调，尽管在第一回合的战斗中失利，但公司正迅速增加对英伟达的供应，以确保在第二回合的竞争中取得胜利。 S…

叮当号2月10日消息，HBM4内存带来的升级之一，就是采用了2048位接口，从而实现更高的带宽，这也是HBM4内存最大的变化，不过唯一的问题就是成本较高，与消费者无缘，但也可以说是HPC、AI领域的专属。 据韩国《每日经济新闻》报道，台积电和SK海力士已成立所谓的AI半导体联盟。 台积电和SK海力士这俩家能够合作的原因之一是，它们需要非常密切的合作，以确保S…

科技号2月4日消息，据媒体报道，SK海力士表示，生成式AI市场预计将以每年35%的速度增长，而SK海力士有望在2026年大规模生产下一代HBM4。 据了解，HBM类产品前后经过了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的开发，其中HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本，而HBM4将是第六…