SK海力士
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SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产
财联社4月19日讯(编辑 史正丞)一个月前刚刚宣布量产新一代HBM3E高带宽存储芯片的英伟达供应商SK海力士,现在又朝着下一代产品迈出崭新征程。 当地时间周五,SK海力士与台积电发布公告,宣布两家公司就整合HBM和逻辑层先进封装技术签订谅解备忘录。双方将合作开发第六代HBM产品(HBM4),预计在2026年投产。 背景:什么是高带宽内存 众所周知,高带宽内存…
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SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产
本站 4 月 9 日消息,据韩媒 Businesskorea 报道,SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产。
进入 20~10nm 制程后,一般以 1 + 字母的形式称呼内存世代,1c nm 即对应美光 -
官宣!SK海力士将投资近40亿美元在美建芯片封装厂
财联社4月4日讯(编辑 牛占林)美东时间周三,韩国SK海力士公司宣布,已经与美国印第安纳州政府签署合作协议,将投资38.7亿美元在该州的西拉斐特建造一座先进的芯片封装工厂和人工智能(AI)产品研究中心。 这家全球第二大存储芯片制造商表示,这将是SK海力士在美国的首家芯片工厂,计划于2028年下半年开始大规模投入生产。 当天,SK海力士首席执行官郭鲁正、韩国驻…
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斥资900亿美元!SK海力士将打造全新半导体生产设施:2027年投运
叮当号3月24日消息,据媒体报道,SK海力士计划在韩国京畿道中部的龙仁市投资兴建一座庞大的半导体生产园区,耗资至少120万亿韩元(约合907亿美元)。 据悉,新的半导体生产园区包括四座独立的晶圆厂,将成为全球范围内规模最大的三层晶圆厂。 SK海力士于2019年公布开发计划,但由于许可问题,开发被推迟。SK海力士表示,通过中央和地方政府以及企业2022年达成的…
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SK海力士展示GDDR7显存:传输速度达40Gbps
叮当号3月22日消息,据媒体报道,SK海力士近期展出的GDDR7显存无疑成为了业界关注的焦点。 据悉,SK海力士的GDDR7显存容量涵盖16-24Gb,传输速度可达40Gbps,比三星所展出的GDDR7显存快8Gbps,并且可以提供160GB/s的显存带宽。 这意味着在相同时间内,SK海力士的GDDR7显存可以处理更多数据,从而大大提升显卡的整体性能。 根据…
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SK 海力士展示 40Gbps 超高速 GDDR7 显存
本站 3 月 21 日消息,三星在 gtc 2024 展会上展示了其即将推出的 28gbps 和 32gbps gddr7 显存,而海力士更进一步,该公司正在研发速度更快的显存模组。据 HardwareLuxx 报道,三星此前宣称正在研发
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SK海力士加大HBM封装投入:投资10亿美元建造先进封装设施
叮当号3月11日消息,据媒体报道,SK海力士正在加大在先进芯片封装方面的支出,希望抓住市场对高带宽内存(HBM)需求日益增长而带来的机遇。 SK海力士研发工作的副总裁表示,SK海力士正在加大在先进芯片封装方面的支出,打算在韩国投资10亿美元建造先进封装设施,以进一步扩大先进封装产能。 希望能够抓住市场对高带宽存储器日益增长的需求带来的机遇,同时巩固SK海力士…
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台积电和SK海力士联手联合生产HBM4:对抗三星
叮当号2月10日消息,HBM4内存带来的升级之一,就是采用了2048位接口,从而实现更高的带宽,这也是HBM4内存最大的变化,不过唯一的问题就是成本较高,与消费者无缘,但也可以说是HPC、AI领域的专属。 据韩国《每日经济新闻》报道,台积电和SK海力士已成立所谓的AI半导体联盟。 台积电和SK海力士这俩家能够合作的原因之一是,它们需要非常密切的合作,以确保S…
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U盘、microSD没法买了:SK海力士、三星等厂商故意销售劣质存储芯片
叮当号2月7日消息,据国外媒体报道称,U盘、microSD等存储质量正大不如前,两者的元件质量都在下降。 德国数据恢复公司CBL的报告认为,海力士、闪迪或三星等知名制造商生产的质量控制不合格的NAND芯片正在被转售和重新利用。虽然这些芯片仍能正常工作,但存储容量却降低了。 技术进步也对这些 NAND 芯片产生了影响,但并不朝向积极的方面。这些芯片最初使用单级…
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SK海力士宣布2026年量产HBM4:为下一代AI GPU做准备
科技号2月4日消息,据媒体报道,SK海力士表示,生成式AI市场预计将以每年35%的速度增长,而SK海力士有望在2026年大规模生产下一代HBM4。 据了解,HBM类产品前后经过了HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的开发,其中HBM3E是HBM3的扩展(Extended)版本,而HBM4将是第六…