本站 8 月 19 日消息，据韩媒 zdnet korea 报道，sk 海力士 euv 材料技术人员当地时间本月 12 日出席技术会议时向媒体表示，该企业计划于 2026 年首次导入 asml 的 high na euv 光刻机。sk 海力士的一位工程师表示该公司新近成立了一个 high na euv 研发团队，正致力于将 high na euv 光刻技术应用到最先进 dram 内存的生产上。
综合本站已有报道，在几大先进逻辑制程与存储半导体企业中，
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英特尔：
- 已率先拿下了全球第一台商用 High NA EUV 光刻机
- 第二台 High NA 机台已在运至俄勒冈州研发晶圆厂的途中
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台积电：
- 第一台 High NA EUV 光刻机有望于 2024 年内交付
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三星电子：
- 第一台 High NA EUV 光刻机有望于 2024 年四季度至 2025 年一季度交付
以上就是SK 海力士计划 2026 年首次导入 ASML High NA EUV 光刻机的详细内容，更多请关注叮当号网其它相关文章！
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