美光宣布业界率先推出 232 层 QLC 闪存,同步发布 2500 固态硬盘

本站 4 月 17 日消息,美光宣布其在业界率先推出 232 层 qlc nand 闪存。
该闪存在消费级零售端已用于特定英睿达固态产品中,在消费级 OEM 端已随 2500 固态硬盘向客户出样,在企业端已开始为存储企业进行批量生产。
美光

本站 4 月 17 日消息,美光宣布其在业界率先推出 232 层 qlc nand 闪存

该闪存在消费级零售端已用于特定英睿达固态产品中,在消费级 OEM 端已随 2500 固态硬盘向客户出样,在企业端已开始为存储企业进行批量生产。

美光表示其 232 层 QLC 拥有 2400MT/s 的闪存 I / O 速率,相较自家上代 176 层 QLC 闪存提升 50%,同时读取性能和编程性能也分别提升了 24% 和 31%。

美光还宣称该闪存相较多家竞争对手的 QLC 产品拥有 28% 的比特密度优势。

美光此次还同步发布了采用 232 层 QLC 闪存的 2500 固态硬盘。该固态硬盘为 PCIe Gen4x4 规格,支持 NVMe 1.4c 协议,采用 DRAM-less 无外置缓存设计 + HMB 方案。

美光宣布业界率先推出 232 层 QLC 闪存,同步发布 2500 固态硬盘

2500 可选 M.2 2230/2242/2280 三种外形规格,均为单面,包含 512GB / 1TB / 2TB 三种容量。这意味着该固态硬盘可在 2230 的小巧外形中提供 2TB 的存储空间,适合掌机等设备。

本站整理美光 2500 参数如下:

美光 2500 固态硬盘 512GB 1TB 2TB
顺序读取速率(MB/s) 6600 7100 7100
顺序写入速率(MB/s) 3650 5800 6000
随机读取速率(IOPS) 530K 900K 1000K
随机写入速率(IOPS) 860K 1000K 1000K
读取时延典型值(微秒) lspan=”3″ align=”center” valign=”middle”>50
写入时延典型值(微秒) 12
耐久 (TBW) 200TB 300TB 600TB
保修期 3 年

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